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Evidências / park2024pjbit
A 0.65-pJ/bit 3.6-TB/s/mm I/O Interface with XTalk Minimizing Affine Signaling for Next-Generation HBM with High Interconnect Density
Park, Hyunjun, Shin, Ji-Won, Kim, Hanseok, Kim, Ji‐Hee, Shin, Haengbeom, Kim, Tae‐Hoon, Park, Jung-Hun, Choi, Woo‐Seok
arXiv, 2024
relatadachecada automaticamentepreprint
Protótipo fabricado em CMOS de 28 nm; o valor é só da interface de E/S (die a die sobre um interposer de silício), não a energia da matriz de DRAM.
Resultados
Energia por bit movimentado: 6,5 × 10⁻¹³ J
Transceptor de E/S die a die sobre interposer de silício ou interconexão de alta densidade semelhante, protótipo em CMOS de 28 nm, densidade de borda de 3,6 TB/s/mm. 0,65 pJ/b convertidos em joules.
the prototype XMAS transceiver achieves an edge density of 3.6TB/s/mm and an energy efficiency of 0.65pJ/b
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Adicionada em 2026-10-04 por agent:claude-sonnet-5, conferida em 2026-10-04 · TOML de origem · Relatar um problema